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一、考试的总体要求
本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、二极管/双极型晶体管/场效应晶体管等器件的基本原理和应用。
二、考试的内容及比例
（一）考试内容要点：
第一部分：（50%）
1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系；
4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
6、金属与半导体接触特点及其能带图，金属半导体接触整流理论，欧姆接触；
7、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性；
第二部分：（50%）
7、双极晶体管的基本结构，工作原理，少子分布，低频电流增益和非理想效应；
8、双极晶体管的等效电路模型，频率特性和开关特性；
9、MOSFET的基本结构，工作原理，关键参数，电流电压关系，击穿特性；
10、MOSFET的小信号模型和频率特性；
11、MOSFET的非理想效应；
12、结型场效应晶体管的结构和基本工作原理；
13、光器件与功率器件的原理、特点与应用。
（二）比例：
两部分考试内容各占50%。
三、试卷题型及比例
1、概念与问答题：40%；
2、论述题：40%；
3、计算与推导题：20%；
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。
五、参考书目
半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。
半导体物理与器件，（第四版），赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。
晶体管原理与设计，陈星弼 张庆中等， 电子工业出版社。 |
一、考试的总体要求
本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、二极管/双极型晶体管/场效应晶体管等器件的基本原理和应用。
二、考试的内容及比例
（一）考试内容要点：
第一部分：（50%）
1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系；
4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p-n结：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
6、金属与半导体接触特点及其能带图，金属半导体接触整流理论，欧姆接触；
7、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性；
第二部分：（50%）
1、双极晶体管的基本结构，工作原理，少子分布，低频电流增益和非理想效应；
2、双极晶体管的等效电路模型，频率特性和开关特性；
3、MOSFET的基本结构，工作原理，关键参数，电流电压关系，击穿特性；
4、MOSFET的小信号模型和频率特性；
5、MOSFET的非理想效应；
6、结型场效应晶体管的结构和基本工作原理；
7、光器件与功率器件的原理、特点与应用。
（二）比例：
两部分考试内容各占50%。
三、试卷题型及比例
1、填空与问答题：80%
2、计算与推导题：20%
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。
五、参考书目
半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。
半导体物理与器件，（第四版），赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。
晶体管原理与设计，陈星弼 张庆中等， 电子工业出版社。 |
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