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一．半导体中的电子状态
１.原子中的能级和固体中的能带
电子的共有化运动；能带的形成；sp3轨道杂化
２.半导体中的电子状态和能带
波函数特性；E(k)~k关系及布里渊区；k空间概念及其态密度；Si，Ge，GaAs的第一布里渊区
３.半导体中电子的运动
共有化运动速度；加速度；电子的有效质量；半导体、绝缘体和导体的区别
４.空穴
空穴的定义；空穴的特征参数
５常见半导体的等能面和能量极值
k空间等能面；多极值情况
６.Ge Si GaAs的能带
导带结构；价带结构
７.杂质和杂质能级
杂质存在方式；杂质能级；杂质补偿；等电子杂质；Ⅲ-Ⅵ族化合物中的杂质
二． 热平衡载流子浓度
１.分布函数
费米分布；玻尔兹曼分布
２.状态密度
能量态密度函数
３.平衡载流子浓度公式（非简并）
电子和空穴浓度；浓度积np
４.本征半导体的载流子浓度与费米能级
５.杂质半导体的载流子浓度与费米能级
电子在杂质能级上的分布；不同温度区间的n,p和Ef
６.杂质补偿半导体的载流子浓度
７.简并半导体
简并半导体概念；简并条件
三． 弱场下载流子的运动
１.载流子的散射和迁移率
漂移速度，迁移率，电导率；平均自由时间，散射几率
２.散射机构
晶格振动；晶格散射；电离杂质散射
３.迁移率；电导率
μ~τ的关系； σ~τ的关系；电导有效质量；迁移率，电导率与Ni和温度T的关系
４.霍耳效应
霍耳系数；霍耳角；两种载流子同时导电时的霍耳效应；霍耳效应的实际应用
６.磁阻现象
物理磁阻；几何磁阻
７.电导，霍耳效应的统计分布
玻尔兹曼方程；弱场情况的分布函数；球形等能面半导体的电导率；霍耳系数的统计
四． 非平衡载流子及其复合
１.非平衡载流子的产生
非平衡态；非平衡载流子的复合和寿命；准费米能级
２.平衡载流子的扩散运动
扩散电流；非平衡载流子的扩散分布
３.非平衡载流子的漂移电流和扩散电流
非平衡载流子的漂移和扩散；爱因斯坦关系
４.电流连续性方程
５．非平衡载流子的复合过程
直接复合；间接复合； 表面复合；俄歇复合；陷阱效应
五． P-N结
１.P-N结 的结构
２.平衡P-N结的特性
空间电荷区；内建电场；能带，费米能级；P-N结接触电势差；势垒区的载流子分布
３.P-N结的电场和电位分布及势垒区宽度
突变结势垒区的电场，电位；线性缓变结势垒区的电场，电位
４.P-N结的电流电压特性
非平衡P-N结的变化；理想P-N结电流电压方程；P-N结偏离理想方程的因素（势垒区的产生电流；势垒区的复合电流；正向大注入效应；实际的I-V曲线）
５.P-N结电容
势垒电容；扩散电容
６.P-N结击穿
雪崩击穿；隧道击穿；热击穿
７.异质结
理想异质结的能带图；电势，结宽和电容；界面态的影响
六． 半导体表面
１.表面电场效应
表面电荷的五种状态
２.表面空间电荷区的电场，电势，电容
３.理想MOS结构的C（V）特性
４.实际MOS结构的C（V）特性
金属与半导功函数差的影响；氧化层固定电荷的影响；可动电荷的影响；界面态的影响
５.金属半导体接触
理想肖特基模型；巴丁模型；肖特基势垒的整流特性；肖特基结特点；欧姆接触
七． 半导体的光学性质
1．本征吸收
直接跃迁吸收；间接跃迁吸收；激子吸收；自由载流子吸收；杂质吸收；晶格吸收
２.半导体的光电导
定态光电导；光电导的弛豫
３.半导体光生伏特效应
４.半导体发光
辐射复合跃迁；非辐射复合跃迁
５.半导体激光
半导体受激发射的条件；P-N结激光器
八． 强电场效应
１.强电场下的非线性电导
热载流子，晶格温度；非线性电导
２.表面量子化
３.半导体超晶格和多量子井 |
一．半导体中的电子状态
１.原子中的能级和固体中的能带
电子的共有化运动；能带的形成；sp3轨道杂化
２.半导体中的电子状态和能带
波函数特性；E(k)~k关系及布里渊区；k空间概念及其态密度；Si，Ge，GaAs的第一布里渊区
３.半导体中电子的运动
共有化运动速度；加速度；电子的有效质量；半导体、绝缘体和导体的区别
４.空穴
空穴的定义；空穴的特征参数
５常见半导体的等能面和能量极值
k空间等能面；多极值情况
６.Ge Si GaAs的能带
导带结构；价带结构
７.杂质和杂质能级
杂质存在方式；杂质能级；杂质补偿；等电子杂质；Ⅲ-Ⅵ族化合物中的杂质
二． 热平衡载流子浓度
１.分布函数
费米分布；玻尔兹曼分布
２.状态密度
能量态密度函数
３.平衡载流子浓度公式（非简并）
电子和空穴浓度；浓度积np
４.本征半导体的载流子浓度与费米能级
５.杂质半导体的载流子浓度与费米能级
电子在杂质能级上的分布；不同温度区间的n,p和Ef
６.杂质补偿半导体的载流子浓度
７.简并半导体
简并半导体概念；简并条件
三． 弱场下载流子的运动
１.载流子的散射和迁移率
漂移速度，迁移率，电导率；平均自由时间，散射几率
２.散射机构
晶格振动；晶格散射；电离杂质散射
３.迁移率；电导率
μ~τ的关系； σ~τ的关系；电导有效质量；迁移率，电导率与Ni和温度T的关系
４.霍耳效应
霍耳系数；霍耳角；两种载流子同时导电时的霍耳效应；霍耳效应的实际应用
６.磁阻现象
物理磁阻；几何磁阻
７.电导，霍耳效应的统计分布
玻尔兹曼方程；弱场情况的分布函数；球形等能面半导体的电导率；霍耳系数的统计
四． 非平衡载流子及其复合
１.非平衡载流子的产生
非平衡态；非平衡载流子的复合和寿命；准费米能级
２.平衡载流子的扩散运动
扩散电流；非平衡载流子的扩散分布
３.非平衡载流子的漂移电流和扩散电流
非平衡载流子的漂移和扩散；爱因斯坦关系
４.电流连续性方程
５．非平衡载流子的复合过程
直接复合；间接复合； 表面复合；俄歇复合；陷阱效应
五． P-N结
１.P-N结 的结构
２.平衡P-N结的特性
空间电荷区；内建电场；能带，费米能级；P-N结接触电势差；势垒区的载流子分布
３.P-N结的电场和电位分布及势垒区宽度
突变结势垒区的电场，电位；线性缓变结势垒区的电场，电位
４.P-N结的电流电压特性
非平衡P-N结的变化；理想P-N结电流电压方程；P-N结偏离理想方程的因素（势垒区的产生电流；势垒区的复合电流；正向大注入效应；实际的I-V曲线）
５.P-N结电容
势垒电容；扩散电容
６.P-N结击穿
雪崩击穿；隧道击穿；热击穿
７.异质结
理想异质结的能带图；电势，结宽和电容；界面态的影响
六． 半导体表面
１.表面电场效应
表面电荷的五种状态
２.表面空间电荷区的电场，电势，电容
３.理想MOS结构的C（V）特性
４.实际MOS结构的C（V）特性
金属与半导功函数差的影响；氧化层固定电荷的影响；可动电荷的影响；界面态的影响
５.金属半导体接触
理想肖特基模型；巴丁模型；肖特基势垒的整流特性；肖特基结特点；欧姆接触
七． 半导体的光学性质
1．本征吸收
直接跃迁吸收；间接跃迁吸收；激子吸收；自由载流子吸收；杂质吸收；晶格吸收
２.半导体的光电导
定态光电导；光电导的弛豫
３.半导体光生伏特效应
４.半导体发光
辐射复合跃迁；非辐射复合跃迁
５.半导体激光
半导体受激发射的条件；P-N结激光器
八． 强电场效应
１.强电场下的非线性电导
热载流子，晶格温度；非线性电导
２.表面量子化
３.半导体超晶格和多量子井 |
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