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 《半导体物理》-天津工业大学

资料编号:2007081512431539
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商品属性 推荐等级 ★★★
商品类型 正常销售商品 上架时间 2018-03-25 12:40:02
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 商品说明:

适用于天津工业大学

刘恩科 (第四版)

书籍介绍:
前言
    
本教材系按中国电子工业总公司的工科电子类专业教材19911995年编审出版规划,由电子材料与固体器件教材编审委员会半导体物理与器件编审小组征稿,推荐出版,责任编委李卫。
    
本教材由西安交通大学刘恩科担任主编,西安电子科技大学周南生担任主审。
    
本教材第一版于197912月由国防工业出版社出版。第二版于19845月由上海科学技术出版社出版。198712月获电子工业部1977年~1985年工科电子类专业优秀教材特等奖,19881月获全国高等学校优秀教材奖。第三版于19895月由国防工业出版社出版,19921月获第二届机械电子工业部电子类专业优秀教材特等奖,199211月获第二届普通高等学校优秀教材全国特等奖。
    
本课程参考学时数为120学时。本教材共13章,其主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态,杂质和缺陷能级,载流子的统计分布,载流子的散射及电导问题,非平衡载流子产生、复合及其运动规律,半导体的表面和界面——包括Pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结,半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。
    
按照半导体物理与器件编审小组的意见,本教材在第二次修订适当增加一些新内容,如四元化合物半导体的能带、半导体超晶格、二维电子气、朗道能级、磁光吸收、量子化霍耳效应、非晶态半导体的基础上,这次修订又作了如下补充:第一章适当增加了*;xGex能带和DVI族化合物半导体的晶格结构和能带;第五章增加了俄歇复合;第八章增加了深耗尽和二维电子气概念;第九章适当深化二维电子气内容;第十章简要介绍室温激子;第二、九章补充了思考题和习题;根据半导体研究的进展修改了一些不合适的内容,如第一、四章中砷化像导带第二极小值、第八章中硅一二氧化硅系统界面态密度分布等内容。
    
本教材使用时应以前九章为主。第十至十二章各校自行掌握,可以光学效应为主。非晶态半导体可视情况而定。除进行课堂讲授外,可辅以必要的习题课和课堂讨论。   本教材由刘恩科编写第一、四、十一、十二章;朱秉升编写第二、三、六、九章;罗晋生编写第八、十三章;亢润民编写第五、七章;屠善洁编写第十章。附录由刘恩科、亢润民整理。刘恩科统编全稿。第二次和这次均由刘恩科修订第一、四、七、十、十一、十二章和第九章部分内容;朱秉升修订第二、三、五、六、九章;罗晋生修订第八、十三章。主审和编审小组全体委员都为本书提出许多宝贵意见,这里表示诚挚的感谢。由于编者水平有限,书中难免还
存在一些缺点和错误,殷切希望广大读者批评指正

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