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    天津大学微电子学与固体电子学综合2015年考研复试大纲
天津大学微电子学与固体电子学综合2015年考研复试大纲
责任编辑:可乐薄荷糖  作者:可乐薄荷…  来源:本站原创   更新时间:2015-2-10 15:18:48

天津大学微电子学与固体电子学综合2015年考研复试大纲

课程名称:微电子学与固体电子学综合
本复试考试由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分: 半导体集成电路复试大纲(参加微电子学复试的考生参考)
一、考试的总体要求
"半导体集成电路"是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括"半导体特种效应"、"半导体集成电路"。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、考试内容及比例
(一)半导体特种效应(40%)
1、半导体异质结:异质结概念及能带图,异质结锗硅双极晶体管的结构、性能特点与原因,高电子迁移率晶体管的结构、性能特点与原因;
2、半导体光学性质:半导体光吸收,半导体光电探测器, 半导体太阳电池,半导体发光概念与应用,半导体激光基本原理;
3、半导体霍尔效应、半导体热电效应及其应用、半导体压阻效应。
(二)半导体集成电路(60%)
1、MOS反相器及其基本逻辑单元 E/D反相器、CMOS反相器、自举反相器、动态反相器、NMOS逻辑结构、传输门逻辑。
2、导线模型及寄生参数 互连参数、集总式模型、分布式模型。
3、CMOS组合逻辑门的设计 静态CMOS组合逻辑、动态CMOS组合逻辑。
4、时序逻辑电路设计 静态锁存器和寄存器、动态锁存器和寄存器、流水线、非双稳时序电路。
5、数字电路中的时序问题 数字系统的时序分类、同步设计、自定时电路设计、时钟的不确定性。
6、设计运算功能块 数字处理器结构中的数据通路、加法器、乘法器、移位器。
三、试卷题型及比例
1、选择,填空题:15%;
2、简答题:30%;
3、论述题:40%;
4、综合题:15%。
四、考试形式及时间
考试形式为笔试,考试时间1.5小时,满分65分。
五、参考书目
1、半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。
2、半导体物理与器件,美 Neamen著,赵毅强等译,电子工业出版社;
3、数字集成电路--电路、系统与设计,周润德等译,电子工业出版社;
4、半导体集成电路、朱正涌编著,清华大学出版社。
第二部分:薄膜电子技术复试大纲(参加固体电子学专业复试的考生参考)
一、考试的总体要求
"薄膜电子技术"是微电子学与固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况,考察学生分析问题解决问题的能力。
二、考试内容及比例
1、薄膜的制备技术:
1) 真空技术基础:
   真空的基本知识,真空的获得,真空度的表征和检测。
2) 物理气相沉积镀膜技术:
 真空蒸发镀膜原理,蒸发源类型及原理,蒸发特性及参数,合金及化合物蒸发。溅射镀膜类型及原理、特点,溅射特性参数。 离子镀膜原理、特点。
3) 化学气相沉积镀膜技术:
不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点 常压化学气相沉积,低压化学气相沉积,等离子增强化学气相沉积,有机金属化学气相沉积,光化学气相沉积。
4) 溶液镀膜法:
化学镀,溶胶-凝胶法,LB膜的制备原理和特点。
2、薄膜形成理论:
1)薄膜的形成过程,薄膜的形成与生长形式。热适应系数,热力学界面能理论,原子聚集理论。
2)薄膜的结构与缺陷: 薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构,薄膜的缺陷及产生机理。
3、薄膜结构与化学组分检测方法: X射线衍射法,扫描电子显微镜法,俄歇电子能谱法,X射线光电子能谱法,检测原理与特点。
三、试卷题型及比例
1、选择,填空题:15%;
2、简答题:30%;
3、论述题:40%;
4、综合题:15%。
四、考试形式及时间
考试形式为笔试,考试时间1.5小时,满分65分。
五、参考书目
薄膜物理与技术,杨邦朝等,电子科技大学出版社。

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