本复试考试由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考）
一、考试的总体要求
"半导体集成电路"是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括"半导体特种效应"、"半导体集成电路"。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、考试内容及比例
（一）半导体特种效应（40%）
1、半导体异质结：异质结概念及能带图，异质结锗硅双极晶体管的结构、性能特点与原因，高电子迁移率晶体管的结构、性能特点与原因；
2、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光基本原理；
3、半导体霍尔效应、半导体热电效应及其应用、半导体压阻效应。
（二）半导体集成电路（60%）
1、MOS反相器及其基本逻辑单元 E/D反相器、CMOS反相器、自举反相器、动态反相器、 NMOS逻辑结构、传输门逻辑。
2、导线模型及寄生参数 互连参数、集总式模型、分布式模型。
3、CMOS组合逻辑门的设计 静态CMOS组合逻辑、动态CMOS组合逻辑。
4、时序逻辑电路设计 静态锁存器和寄存器、动态锁存器和寄存器、流水线、非双稳时序电路。
5、数字电路中的时序问题 数字系统的时序分类、同步设计、自定时电路设计、时钟的不确定性。
6、设计运算功能块 数字处理器结构中的数据通路、加法器、乘法器、移位器。
三、试卷题型及比例
1、选择，填空题：15%；
2、简答题：30%；
3、论述题：40%；
4、综合题：15%。
四、考试形式及时间
考试形式为笔试，考试时间1.5小时，满分65分。
五、参考书目
1、半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。
2、半导体物理与器件，美 Neamen著，赵毅强等译，电子工业出版社；
3、数字集成电路--电路、系统与设计，周润德等译，电子工业出版社；
4、半导体集成电路、朱正涌编著，清华大学出版社。
第二部分：薄膜电子技术复试大纲（参加固体电子学专业复试的考生参考）
一、考试的总体要求
"薄膜电子技术"是微电子学与固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况，考察学生分析问题解决问题的能力。
二、考试内容及比例
1、薄膜的制备技术：
1) 真空技术基础：
真空的基本知识，真空的获得，真空度的表征和检测。
2) 物理气相沉积镀膜技术：
真空蒸发镀膜原理，蒸发源类型及原理，蒸发特性及参数，合金及化合物蒸发。 溅射镀膜类型及原理、特点，溅射特性参数。 离子镀膜原理、特点。
3) 化学气相沉积镀膜技术：
不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点 常压化学气相沉积，低压化学气相沉积，等离子增强化学气相沉积，有机金属化学气相沉积，光化学气相沉积。
4) 溶液镀膜法：
化学镀，溶胶-凝胶法，LB膜的制备原理和特点。
2、薄膜形成理论：
1）薄膜的形成过程,薄膜的形成与生长形式。热适应系数，热力学界面能理论，原子聚集理论。
2）薄膜的结构与缺陷： 薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构，薄膜的缺陷及产生机理。 3、薄膜结构与化学组分检测方法： X射线衍射法，扫描电子显微镜法，俄歇电子能谱法， X射线光电子能谱法，检测原理与特点。
三、试卷题型及比例
1、选择，填空题：15%；
2、简答题：30%；
3、论述题：40%；
4、综合题：15%。
四、考试形式及时间
考试形式为笔试，考试时间1.5小时，满分65分。
五、参考书目
薄膜物理与技术，杨邦朝等，电子科技大学出版社。

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