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    天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲2018年与2019年对比一览表
天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲2018年与2019年对比一览表
责任编辑:上善若水29  作者:上善若水…  来源:本站原创   更新时间:2018-9-19 17:55:35

天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲2018年与2019年对比一览表

天津大学813半导体物理或电介质物理2019年考研大纲已经公布,但是考研的同学都清楚何如利用吗?考研大纲是目标院校唯一官方指定的硕士研究生入学考试命题的唯一依据,是规定研究生入学考试相应科目的考试范围、考试要求、考试形式、试卷结构等权威指导性文件。考研大纲作为唯一官方的政策指导性文件在专业课备考中作用是不言而喻的。

然而,各大高校的考试大纲均在9月中旬左右才公布,对参照前一年的考研大纲已经复习大半年的莘莘学子来说可谓姗姗来迟。借此,我们天津考研网特别推出考研大纲的对比、变化情况的系列专题,及时反映相关的考研动态,以此来消除学子们的复习误区;使学子们尽早捕捉到官方的细微变化。为考研之路保驾护航!

 

天津大学813半导体物理或电介质物理2018年大纲

天津大学813半导体物理或电介质物理2019年大纲

本考试课程由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

第一部分:半导体物理考试大纲(参加半导体物理考试的考生参考):

一、考试的总体要求

本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、双极晶体管、MOS晶体管等基本原理和应用。

二、考试的内容及比例

(一)考试内容要点:

第一部分:(50%

1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;

2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;

3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系,体内负微分电导;

4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;

5p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,pn结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;

6MOS结构表面电场效应,理想与实际MOS结构C-V特性,MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响),表面电场对p-n结特性的影响;

第二部分:(50%

7、双极晶体管的基本结构、原理,少数子分布,低频电流增益和非理想效应;

8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性;

9MOSFET的基本结构、原理,阈值电压,电流电压关系,击穿特性和频率特性;

10MOSFET的非理想特性:亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应;

11、光器件与功率器件的原理、特点与应用

(二)比例:

两部分考试内容各占50%

三、试卷题型及比例

1、概念与问答题:40%

2、论述题:30%

3、计算与推导题:20%

4、实验与综合题:10%

四、考试形式及时间

考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)

五、参考书目

半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。

半导体物理与器件,(第四版),赵毅强、姚素英等译,电子工业出版社。

晶体管原理与设计,陈星弼张庆中等,电子工业出版社。

第二部分:电介质物理大纲(参加电介质物理考试的考生参考):

一、考试的总体要求

本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念,并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。

二、考试的内容及比例

考试具体范围如下:

1、恒定电场中电介质的极化

1)介电常数和介质极化;

2)有效电场;

3)克-莫方程及其应用;

4)极性液体介质的有效电场;

5)电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。

2、恒定电场中电介质的电导

1)气体介质的电导;

2)液体介质的电导;

3)固体介质的电导-固体介质的离子电导;

4)固体介质的表面电导;

5)直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。

3、交变电场中电介质的损耗

1)复介电常数和复折射率;

2)介质损耗;

3)弛豫现象;

4)德拜方程;

5)柯尔-柯尔圆弧律;

6)介质损耗与温度的关系;

7)计及漏电导时的介质损耗;

8)有损耗电介质的等效电路。

三、试卷类型及比例

1、名词辨析题:20%

2、填空题:20%

3、简答题:40%

4、综合题:20%

四、考试形式及时间

考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150分)。

五、参考书目

1、《电介质物理导论》,李翰如,成都科技大学出版社;

2、《电介质物理基础》,孙目珍,华南理工大学出版社;

3、《电介质物理》,张良莹、姚熹,西安交通大学出版社。

本考试课程由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

第一部分:半导体物理考试大纲(参加半导体物理考试的考生参考):

一、考试的总体要求

本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、双极晶体管、MOS晶体管等基本原理和应用。

二、考试的内容及比例

(一)考试内容要点:

第一部分:(50%

1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;

2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;

3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系,体内负微分电导;

4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;

5p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,pn结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;

6MOS结构表面电场效应,理想与实际MOS结构C-V特性,MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响),表面电场对p-n结特性的影响;

第二部分:(50%

7、双极晶体管的基本结构、原理,少数子分布,低频电流增益和非理想效应;

8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性;

9MOSFET的基本结构、原理,阈值电压,电流电压关系,击穿特性和频率特性;

10MOSFET的非理想特性:亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应;

11、光器件与功率器件的原理、特点与应用

(二)比例:

两部分考试内容各占50%

三、试卷题型及比例

1、概念与问答题:40%

2、论述题:30%

3、计算与推导题:20%

4、实验与综合题:10%

四、考试形式及时间

考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)

五、参考书目

半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。

半导体物理与器件,(第四版),赵毅强、姚素英等译,电子工业出版社。

晶体管原理与设计,陈星弼张庆中等,电子工业出版社。

第二部分:电介质物理大纲(参加电介质物理考试的考生参考):

一、考试的总体要求

本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念,并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。

二、考试的内容及比例

考试具体范围如下:

1、恒定电场中电介质的极化

1)介电常数和介质极化;

2)有效电场;

3)克-莫方程及其应用;

4)极性液体介质的有效电场;

5)电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。

2、恒定电场中电介质的电导

1)气体介质的电导;

2)液体介质的电导;

3)固体介质的电导-固体介质的离子电导;

4)固体介质的表面电导;

5)直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。

3、交变电场中电介质的损耗

1)复介电常数和复折射率;

2)介质损耗;

3)弛豫现象;

4)德拜方程;

5)柯尔-柯尔圆弧律;

6)介质损耗与温度的关系;

7)计及漏电导时的介质损耗;

8)有损耗电介质的等效电路。

三、试卷类型及比例

1、名词辨析题:20%

2、填空题:20%

3、简答题:40%

4、综合题:20%

四、考试形式及时间

考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150分)。

五、参考书目

1、《电介质物理导论》,李翰如,成都科技大学出版社;

2、《电介质物理基础》,孙目珍,华南理工大学出版社;

3、《电介质物理》,张良莹、姚熹,西安交通大学出版社。

变化情况:无变化

 

以上是天津大学813半导体物理或电介质物理2018年与2019年考研大纲的对比情况,从对比文件可以看出,天津大学813半导体物理或电介质物理的考研大纲没有发生变化。所以,报考该校的研友们可以安心的按照已定的专业进行有计划的复习备考。

 

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