天津大学硕士生入学考试业务课程大纲
按一级学科设置自命题考试科目
二级学科名称：微电子学与固体电子学
课程编号：813
初试考试科目名称：半导体物理与电介质物理 

本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

第一部分： 半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：
一、考试的总体要求
        本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例：
（一） 考试内容要点：
第一部分：（70%）
1、 半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、 热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半 导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、 半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；
4、 非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
   6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性， MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结特性的影响；
第二部分：（30%）
7、 半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异
质p-n结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；
8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；
9、 半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，
非晶态半导体概念；
（二） 比例：
考试内容前6个问题占70%，后3个问题占30%，计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。
三、试卷题型及比例
1、 概念与问答题：40%；2、论述题：30%；3、计算与推导题：20%；
4、实验与综合题：10%。
四、考试形式及时间
    考试形式均为笔试。考试时间为三小时(满分150)。

第二部分：电介质物理大纲（参加电解质物理考试的考生参考）：
一、考试的总体要求
本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念，并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。
二、考试的内容及比例
考试具体范围如下：
1． 恒定电场中电介质的极化
（1）介电常数和介质极化；
（2）有效电场；
    （3）克-莫方程及其应用；
（4）电子位移极化与离子位移极化。
2． 恒定电场中电介质的电导：
（1） 气体介质的电导；
（2） 液体介质的电导；
（3） 固体介质的电导；
（4） 固体介质的表面电导；
（5） 直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。
3． 交变电场中电介质的损耗
（1）复介电常数和复折射率；
（2）介质损耗；
（3）弛豫现象；
（4）德拜方程；
（5）介质损耗与温度的关系。
三、试卷类型及比例
1． 选择题或填空题：30%
2． 辨析题或简答题：30%
3． 计算题或分析题：20%
4． 综合题：20%
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为3小时（满分150分）。